东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及储存装置株式会社(TDSC)今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM3K357R”,该产品采用有源箝位结构,漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等电感负载。批量发货即日启动。
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SSM3K357R为驱动器提供防电压浪涌损坏保护,例如电感引起的反电动势。该产品集成有下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管,有助于减少零部件数量并节省电路板空间。
SSM3K357R采用行业标准的SOT-23级封装,具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证,因此适合于汽车和许多其他应用。
应用场合
	汽车继电器和螺线管控制
	工业继电器和螺线管控制
	办公设备离合器控制
特点
	适合于驱动电感负载的有源箝位结构
	3.0V的低工作电压
	通过了AEC-Q101认证
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| 主要规格 | ||||||
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| 项目 (@Ta=25℃) | 
 | 特性 | ||||
| 绝对最大额定值 | 
 | 漏源极电压 VDSS (V) | 60 | |||
| 栅源极电压 VGSS (V) | ±12 | |||||
| 漏极电流 ID (A) | 0.65 | |||||
| 电气特性 | 
					漏源极 | 
 | |VGS|=3.0V | 1200 | ||
| |VGS|=5.0V | 800 | |||||
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					栅极总电荷 
 | 1.5 | |||||
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					输入电容 
 | 43 | |||||
| 封装 | 
 | SOT-23F | 
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					2.9mm×2.4mm; | ||
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关于东芝电子元件及储存装置株式会社
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东芝电子元件及储存装置株式会社:一款新的MOSFET “SSM3K357R”,该产品采用有源箝位结构,漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。(照片:美国商业资讯)

东芝电子元件及储存装置株式会社:“SSM3K357R”等效电路(图示:美国商业资讯)
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