东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。
此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20180326005358/en/
100V的最大漏源极电压(VDSS)可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用，高静电放电抗扰度为这一能力提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造，使用 TSOP6F封装，具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外，TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。
应用场合
特点
|
|
||||||
|
主要规格 |
||||||
|
(@Ta=25℃) |
||||||
|
项目 |
|
SSM6N813R |
||||
|
绝对最大额定值 |
|
漏源极电压 |
100 |
|||
|
栅源极电压 |
+/-20 |
|||||
|
漏极电流 |
3.5 |
|||||
|
电气特性 |
漏源极导通电阻 |
|
VGS=10V |
112 |
||
|
VGS=4.5V |
154 |
|||||
|
输入电容 |
242 |
|||||
|
封装 |
|
TSOP6F |
|
2.9mm×2.8mm；t=0.8mm |
||
|
|
||||||
有关东芝最新小型低导通电阻MOSFET的更多信息，请访问如下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html
客户垂询：
小型信号器件销售与营销部
电话：+81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*本新闻稿中的信息，包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况，如有变动，恕不另行通知。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一体。自2017年7月成为一家独立公司以来，我们已跻身领先的通用设备公司之列并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。
公司遍布全球的1.9万名员工同心一致，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。我们期望基于目前超过7000亿日元（60亿美元）的年度销售额，致力于为全球人类创造更加美好的未来。
有关公司的更多详情，请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20180326005358/en/
免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
联系方式：
媒体垂询：
东芝电子元件及存储装置株式会社
Chiaki Nagasawa，+81-3-3457-4963
数字营销部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
东芝：搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。（照片：美国商业资讯）
东芝：双MOSFET“SSM6N813R”标记电路和等效电路（图示：美国商业资讯）
相关阅读
