新参加到产品声威中的第二代串行接口NAND产品具有更高的机能和容量

东京--(美国贸易资讯)--全球存储器解决筹划引导者东芝存储器公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布，该公司已推出其第二代NAND闪存产品系列，这些产品具有更高的机能和容量^[1]，实用于嵌入式应用，可支撑高速数据传输。新推出的串行接口NAND产品与广泛应用的串行外围设备接口(SPI)兼容，实用于各类花费、工业和通信应用。样品于刻期起出货，筹划从10月开端量产。

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跟着器件在物联网和通信应用中的体积逐渐缩小，对小型封装的大年夜容量闪存的需求则日益增长，而小型封装可以或许以低引脚数量处理高速数据传输。因为与广泛应用的SPI兼容，这些串行接口NAND产品可以用作低引脚数、小型封装和大年夜容量的SLC NAND闪存产品。

为了可以或许支撑高速数据传输，新的第二代串行接口NAND产品供给高于现有第一代产品^[1]的机能，包含133兆赫(MHz)的工作频率和法度榜样x4模式。此外，该系列还增长了8Gb（1千兆字节）^[2]器件，以知足对更大年夜存储容量的需求。

重要特点

* 本文说起的所有公司名称、产品名称和办事名称可能是其各自公司的商标。

注释
[1] 与东芝存储器公司现有的第一代串行接口NAND产品比拟。东芝存储器查询拜访。
[2] 产品容量是根据产品内存储芯片的容量而不是最终用户可用于数据存储的内存容量来肯定的。因为开销数据区域、格局、坏块和其他限制，花费者可应用的容量会变少，并且还会因主机设备和应用法度榜样而异。如需获取具体信息，请参阅实用的产品规格。

新产品概况

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东芝存储器公司：第二代串行接口NAND产品（照片：美国贸易资讯）