东京--(美国贸易资讯)--内存解决筹划范畴的全球引导者铠侠股份有限公司(Kioxia Corporation)今日宣布，该公司已成功开辟具有112层垂直堆叠构造的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。铠侠筹划开端在2020日积年第一季度为特定应用出货新设备的样品，该设备采取512 Gb（64千兆字节）容量及每单位3位（三级单位，TLC）技巧^*1。这款新设备旨在知足对各类应用赓续增长的位需求，包含传统移动设备、花费类和企业固态硬盘(SSD)、新的5G收集支撑的新兴应用、人工智能和主动驾驶车辆。

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瞻望将来，铠侠将其新的第五代工艺技巧应用于更大年夜容量的设备，例如1 TB（128千兆字节）TLC和1.33 TB每单位4位（四级单位，QLC）设备。

自2007年宣布推出全球首个^*2原型3D闪存技巧以来，铠侠一向在推动3D闪存的开辟，并积极推广BiCS FLASH™，以知足对更小芯片尺寸和更大年夜容量的需求。

第五代BiCS FLASH™是与技巧和制造合作伙伴西部数据公司(Western Digital Corporation)合营开辟的。它将在铠侠的四日工厂和新建的北上工厂临盆。

注：
1. 并非所有功能都已经由测试，且设备特点将来可能变革。
2. 来源：铠侠股份有限公司，截至2007年6月12日。
德律风：+81-3-6478-2319
* 本文说起的所有其他公司名称、产品名称和办事名称可能是其各自公司的商标。

关于铠侠

铠侠是全球存储器解决筹划引导者，致力于开辟、临盆和发卖闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年创造了NAND闪存，2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离。铠侠致力于以存储器来晋升世界，供给的产品、办事和体系可为客户创造选择，同时为社会创造基于存储器的价值。铠侠立异的3D闪存技巧BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的将来存储方法，个中包含高等智妙手机、PC、SSD、汽车和数据中间等。

铠侠立异的112层堆叠工艺技巧与先辈的电路和制造工艺技巧相结合，与96层堆叠工艺比拟，将电池阵列密度进步约20%。新技巧不仅降低每位成本，并且进步每个硅晶圆的存储容量的可制造性。此外，它将接口速度进步50%，并供给更高的编程机能和更短的读取延迟。

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新一代3D闪存增长层数，进步容量，扩大带宽

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接洽方法：

铠侠控股股份有限公司
Kota Yamaji
公共关系
kioxia-hd-pr@kioxia.com

5th-Generation BiCS FLASH(TM) (Photo: Business Wire)