- 推出采取东芝最新一代工艺的U-MOS X-H系列 -
东京--(美国贸易资讯)--东芝电子元件及存储装配股份有限公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）宣布“XK1R9F10QB”，这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，实用于汽车的48V设备应用，例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货刻期启动。
这款新产品是东芝采取槽形构造的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款产品，采取该公司的最新[1]一代工艺制造。它采取低电阻TO-220SM(W)封装安装，供给业界领先的低导通电阻[2]，最大年夜导通电阻为1.92mΩ，与当前的“TK160F10N1L”比拟降低约20%。这一进步有助于降低设备功耗。因为电容特点获得优化，它还供给更低的开关噪声，从而有助于降低设备的EMI[3]。 此外，将阈值电压宽缩小至1V，可以加强并联时的开关同步性。
应用处合
汽车设备（负载开关、开关电源和电机驱动等）
特点
采取槽形构造的U-MOS X-H系列MOSFET
业界领先的低导通电阻
VGS=10V时，RDS(ON)=1.92mΩ（最大年夜值）
重要规格
注：
[1] 截至2020年2月25日
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东芝：用于汽车设备的新型100V N沟道功率MOSFET “XK1R9F10QB”。（照片：美国贸易资讯）
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