外形紧凑、稳定耐用的隔离型SiC MOSFET驱动器集成了有源钳位并且短路关断时光<2s
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美国加利福尼亚州圣何塞 -- (美国贸易资讯) -- 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技巧范畴的有名公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布，其合适碳化硅(SiC) MOSFET的高效力单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已经由过程AEC-Q100汽车级认证。新品件经由设定后可支撑常用SiC MOSFET的门极驱动电压请求，并具有先辈的安然和保护特点。
Power Integrations, Inc.是高压电源转换范畴半导体技巧的有名立异者。该公司的产品是干净能源生态体系内的关键构成部分，可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用中电能的有效传输和消费。有关具体信息，请拜访网站www.power.com。
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SIC1182KQ (1200V)和SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver器件可驱动汽车应用中的SiC MOSFET，新产品具有轨到轨输出、快速门极开关速度、支撑正负输出电压的单极供电电压、集成的功率和电压治理以及加强绝缘。重要安然特点包含漏源极(VDS)监测、电流检测读出、原方和副方欠压保护(UVLO)、限流门极驱动以及可确保在故障情况下安然工作和软关断的高等有源钳位(AAC)。AAC与VDS监控相结合，可确保在短路情况下的安然关断时光少于2µs。门极驱动控制和AAC特点可使门极电阻最小化，这有助于降低开关损耗，进步逆变器效力。
新器件将SCALE-iDriver的控制和安然特点与其高速FluxLink™通信技巧的完美结合，与应用光耦器或电容性耦合器或磁性耦合器比拟，Power Integrations为门极驱动器IC技巧带来了革命性变更。这种组合极大年夜地进步了绝缘才能，并且应用极少的外部器件即可实现安然靠得住、高性价比的300kW以下逆变器设计。
Power Integrations汽车门极驱动器产品高等市场总监Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技巧打开了通向更简便小巧的汽车逆变器体系的大年夜门。开关速度和工作频率赓续进步；我们的低门极电阻值可用来保持高开关效力，而我们的快速短路响应可在产生故障时为体系供给及时保护。”
“此外，SCALE-iDriver在绝缘强度方面为功能安然建立了新标准；即使功率器件导致了严重的驱动器故障，SCALE-iDriver的绝缘机能仍然无缺无损，从而确保机箱的任何部分都不会有威逼生命的高压存在。”Hornkamp弥补道。
新的单通道SIC118xKQ门极驱动器可供给高达8A的输出电流，并且合适标准门极-发射极电压最低为+15V，负电压范围介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有较强的外部磁场抗扰机能，采取紧凑的eSOP封装，可供给≥9.5mm的爬电距离和电气间隙，并且所采取的材料达到了最高CTI级（根据IEC 60112标准，CTI = 600）。新器件现已开端供货，以10,000片为单位订货，单价为5.39美元。相干技巧信息请见Power Integrations网站：http://www.power.com/products/scale-idriver-ic-family/sic118xkq/。
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Power Integrations推出的合适SiC MOSFET的SCALE-iDriver已经由过程AEC-Q100汽车级认证 (图示：美国贸易资讯)
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