全新????的PQFN封?可透?d-mode GaN????更高效能的直接替?

加利福尼?州戈利塔--(美?商???)--Transphorm, Inc. (Nasdaq:TGAN)是一家提供高可靠性、高效能氮化?(GaN)功率???品的??企?和全球供?商。?公司今日宣布推出六款?用????PQFN 5x6和8x8封?的表面黏著元件(SMD)。?功於Transphorm?利SuperGaN^® d-mode???常?式平?，?些SMD具有可靠性和性能??，??用????品e-mode GaN元件常用的封???。因此，?六款??可在e-mode GaN解?方案中??用作第一???源，或用作引??引?相容的直接替?和/或第二???源。

?於需要SuperGaN平?提供?外?效能的?力系?，Transphorm?提供?最佳化的高效能封?SMD。不?何?封?，考?到d-mode??使用的是?GaN HEMT配?的低?碳化矽(SiC) MOSFET，所有Transphorm元件均具有易於??和??的特?。?平????允?使用??的?成控制器和/或??器，?而提高了Transphorm系列?品的卓越??性?可??性。

Transphorm????兼行??深副?裁Philip Zuk表示：「Transphorm持?生??大的GaN元件?合，涵?了?今最?泛的功率??。我?透?推出?些????封??固了公司的低功率策略，而?些都遵循最近宣布的?Weltrend Semiconductors共同??的 SiP。??是透?高效能封?、引??引?e-mode相容的????封?，抑或是系??封?，客??在可??如何利用SuperGaN的??。」

SuperGaN直接替?的??

??明，?用SuperGaN d-mode FET替?e-mode FET元件能?降低???耗，提供更高的效能?更低的工作?度，?而??更?的使用?命可靠性。?是由於?e-mode GaN常?式??相比，d-mode GaN常?式???根本上具有?在??。最近的一次直接比?便可?此提供?明，???用72 mΩ SuperGaN技?替?了280 W????型??充?器中的50 mΩ e-mode??：https://bit.ly/diraztbISP。

在充?器分析中，SuperGaN FET可在控制器的?出?????工作（而e-mode需要?平??），且?度更低。SuperGaN的?阻?度??(TCR)比e-mode低?25%，有助於降低???耗。此外，周?元件?量?少了20%，表明物料成本亦更低。

????的SMD系列?品

Transphorm的????PQFN??清?如下：