Transphorm 的 TOLL FET ?品?氮化?定位?高耗能 AI ?用的最佳元件
2023-10-11 15:50:12来源:互联网

三款新?置? SuperGaN 常?型 D 模式平台的??引?以 SMD ?基?的大功率系?,而??系?需要更高的可靠性和性能,同?在?密足迹具有?低的??量

加州,戈利塔--(美?商???)-- Transphorm, Inc. (Nasdaq代?: TGAN) 是高性能氮化?功率半???域的全球?楚,代表著下一代?源系?的未?。?公司今天推出了三款?用 TOLL 封?的 SuperGaN® 氮化??效?管 (FET),?通?阻分?? 35、50 和 72 毫?姆。Transphorm 的 TOLL 封?配置符合?界??,意即 SuperGaN TOLL FET 可作?任何 E 模式 TOLL 解?方案的直接替代品。新元件?具? Transphorm ???的高??? (??) ?通?阻可靠性,而?正是以一流代工??基?的 E 模式 GaN ?品普遍所缺乏的。如需索取?品,?造? Transphorm 的?品?面: https://www.transphormusa.com/en/products/。

?三款表面黏著元件 (SMD) 可支援在 1 至 3 千瓦的平均????行的更高功率?用。?些?源系?通常用於高性能?域,如?算 (人工智慧、伺服器、?信、?料中心)、能源和工? (太?光??器、伺服??) 以及其他?泛的工?市?,?些市?目前的全球 GaN TAM ??? 25 ?美元。值得注意的是,FET 是目前?速?展的 AI 系?的最佳解?方案,?些系?依? GPU,其功率需要是?? CPU 的 10 到 15 倍之多。

Transphorm 的高功率 GaN 元件已?大量供???先客?,?生?中的高性能系?供?,包括?料中心?源、高功率?? PSU、UPS 和微型逆?器。TOLL 元件?可以支援多??用,如???的 DC-DC ??器和??充?器,底? SuperGaN 晶片已通?汽? (AEC-Q101) ??。

SuperGaN TOLL FET 是 Transphorm 提供的第六?封??型,?客?提供了最多?的封???,以?足客?各自?特的??要求。?所有 Transphorm ?品一?,TOLL 元件利用常? D 模式 SuperGaN 平台的固有性能和可靠性????。有? SuperGaN ? E 模式 GaN 的????分析,?下?公司最新的白皮?,?? 《自共源共?配置中的 D 模式 GaN 的基???》(The Fundamental Advantages of d-Mode GaN in Cascode Configuration)。 ?份白皮?的???今年年初?布的一份正面?比?告一致。??告?示,72 毫?姆的 SuperGaN FET 在常?的 280w ????充?器上的表??於更大的 50 毫?姆 E 模式元件。

SuperGaN 元件引?市?,?可匹?:

  • 可靠性在 < 0.03 FIT
  • ± 20 V ?的??安全裕度
  • 4 V ?的抗?度
  • 低於 E 模式 20% ?的?阻?度?? (TCR)
  • ?用矽控制器/??器中提供的????器和保??路,?????活性

元件?格

?悍的 650 V SuperGaN TOLL 元件通? JEDEC ??。由於常? D 模式平台? GaN HEMT ?低??矽 MOSFET 配?,因此 SuperGaN FET 使用常用的????器,很容易就能??。它?可用於各式硬性和柔性切?的 AC ? DC、DC ? DC,以及 DC ? AC ?新拓?,以提高功率密度,同??小系?尺寸、重量和整?成本。

可用性和支援?源

SuperGaN TOLL 元件目前可提供?品。若有意取得?品,?造? https://www.transphormusa.com/en/products/?提交申?。

?使 TOLL ?主的系???更臻完善,???用注意事?包括:

  • AN0009:Transphorm GaN FET 的推?外部?路
  • AN0003:GaN?源??的印刷?路板??和??
  • AN0014: 低成本、高密度、高??矽??器,用於中低功率氮化? FET ?用

?於 Transphorm

Transphorm, Inc. 是氮化?革命的全球??者,?高?功率???用??,以及?造高性能?高可靠性的氮化?半??。Transphorm ?有 1000 多?自有或授??利,是功率氮化?知????合最多的公司之一,?生??界首批通? JEDEC 和 AEC-Q101 ??的高?氮化?半??元件。公司的垂直整合装置??模式利於各???段???新:??、?造、??和?用支援。Transphorm 的?新使?力?子元件突破了矽的限制,??了超? 99% 的效率、使功率密度提高 50%,系?成本降低 20%。Transphorm ?部位於加州戈利塔,?在戈利塔和日本?津?有?造工?。如欲?解更多??,?造? www.transphormusa.com。在 Twitter (@transphormusa) 和微信 (@Transphorm_GaN) 上?注我?。

SuperGaN ??是 Transphorm, Inc. 的??商?。所有其他商?均?其各自所有者的??。

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CONTACT:

媒???人:
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com

投?者??人:
David Hanover 或 Jack Perkins
KCSA 策略?播
transphorm@kcsa.com

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