新器件是?界首款??型?部冷?TOLT GaN?晶?，再度?充?公司?富的封?方案?合
加州戈利塔--(美?商???)-- Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是?大的GaN功率半??（下一代?力系?的未?）?域的全球?楚，?公司今天推出SuperGaN® TOLT FET。TP65H070G4RS?晶??通?阻?72毫?姆(milliohm)，是?界首款?用JEDEC??(MO-332) TOLT封?的?部冷?表面??GaN器件。?於系?要求不允??用更??的表面??器件?底部冷?的情形，TOLT封?可?客?提供?活的?管理。TOLT的?性能??泛使用的??固的TO-247通孔封?相似，?具有以SMD?基?的印刷?路板??(PCBA)的高效?程?一?外??。
TP65H070G4RS?用Transphorm?健、高性能的650伏特常?型d模式GaN平台，透?降低???荷、?出功率?容、交叉?耗、反向恢??荷和???阻，改善了矽、碳化矽和其他GaN?品的效率。SuperGaN平台的???TOLT更好的散?和系????活性相?合，??求以更低的整??力系?成本?具有更高功率密度和效率的?力系?推向市?的客?提供了高性能、高可靠性的GaN解?方案。
Transphorm?多?全球合作夥伴合作??高功率GaN，包括伺服器和?存?源的主要客?、能源/微型逆?器?域的全球??者、???源解?方案的?新?造商，以及?星通?的??者。
Transphorm????和行??深副?裁Philip Zuk表示：「?如TOLL和TOLT之?的表面??器件具有各???，例如?部?感?低以及在?造?程中的?路板安?更??。使用?部冷?，TOLT以?似通孔的?性能?化了更?活的整??管理。?些器件通常用於??市??域的中高功率系??用，包括高效能?算（伺服器、?信、人工智慧?源）、再生能源和工?以及???，GaN技?已??其中一些提供了推?力。我?非常高?能??我?的客?利用TOLT SuperGaN解?方案???外的系????。」
今天的?品?布之前，Transphorm新近推出了三款新型TOLL FET。TOLT的面世再次?大了公司的?品??。它的可用性突?了Transphorm的承?，使最?泛功率???的各?封?都能?用SuperGaN平台?支援客?的偏好。
器件?格
SuperGaN器件以???比的性能引?市?：
?悍的650 V SuperGaN TOLT器件通?JEDEC??。由於常?型d模式平台?GaN HEMT?整合低?矽MOSFET搭配，因此SuperGaN FET易於使用常用的?成????器??。它?可用於各?硬??和???AC-to-DC、DC-to-DC、DC-to-AC拓?，以提高功率密度，同??小系?尺寸、?少重量和整?成本。
供?和支援?源
TP65H070G4RS SuperGaN TOLT器件目前可提供?品。如欲收到?品，?在https://www.transphormusa.com/en/products/提出申?。
?取TP65H070G4RS?料表：https://www.transphormusa.com/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/
?於Transphorm
Transphorm, Inc.是GaN革命的全球??企?。?公司??和?造用於高?功率???用的高性能、高可靠性GaN半??。Transphorm?有最大的Power GaN IP?合之一，?有1000多?公司?有或?得授?的?利。?公司生?了?界首?符合JEDEC和AEC-Q101要求的高?GaN半??器件。?公司的垂直整合器件商?模式允?在每????段?行?新：??、?造、器件和?用支援等。Transphorm的?新使?力?子?品超越了矽的限制，?到了超?99%的效率、50%以上的功率密度，?降低了20%的系?成本。Transphorm?部位於加州戈利塔，?在戈利塔和日本?津若松市?有?造??。如欲了解更多??，???www.transphormusa.com。?在Twitter @transphormasa和微信@Transphorm_GaN?注我?。
SuperGaN??是Transphorm, Inc.的??商?。所有其他商?是其各自所有者的??。
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transphorm@kcsa.com
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