日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（“Toshiba”）已在第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，应用于光伏逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备。Toshiba现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。
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最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，它采用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构 [1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现前沿的[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。
Toshiba将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高效率，降低工业电源设备功耗。
注：
[1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构：该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构整合在JBS结构中，MPS可在大电流下降低正向电压，而JBS不仅可降低肖特基接口的电场，还可减少电流泄漏。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的Toshiba调查。
应用
特性
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SiC肖特基势垒二极管
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。
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Toshiba：1200V第三代SiC肖特基势垒二极管。（图示：美国商业资讯）
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