主要特?
在1210?（3.2×2.5mm）尺寸、?定??1.25kV且具?C0G特性的前提下，??了15nF特大?容量的多?片式陶瓷?容器。
1.25kV高耐?，?配SiC MOSFET。
C0G特性??低?耗??定的?容值。

日本京都--(美?商???)--株式?社村田?作所(TOKYO: 6981)（以下??「村田」）初次??⁽¹⁾??始量?了1210?（3.2×2.5mm）尺寸、?定??1.25kV、具?C0G特性的、15nF?容量的多?片式陶瓷?容器（以下??「本?品」）。??品可用於??充?器（OBC）⁽²⁾及高效能民用?子?置的?源?路，有助於??高效率的?力??，?在高???件下?定?行。

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在??汽?搭?的??充?器以及民用?置的?源?路中，通常?包含用於高效?力??的?振?路，以及用於遏制?流、??峰值的??（吸收）?路。由於????路中高???大?流反?作用，元件效能的?微?化就可能?致效率下降、?置??，?而可能引?工作?常或故障。因此，市?亟需具?在?度?化下效能?定、?耗低且能承受高??的?容器。
近年?，?源?路中的??元件⁽³⁾正?Si MOSFET⁽⁴⁾向能???更高效率?高速??的SiC MOSFET?移。SiC MOSFET⁽⁵⁾通常要求1.2kV的耐??格，因此??定??高於?水?的?容器需求在增加。

?此，村田透?特有的陶瓷素???部??薄?化技?，首次在1210?尺寸??了?定??1.25kV、具?C0G特性、?容量?15nF的本?品，?已?始量?。借助C0G特性的低?耗及?容??度?化的?定性，本?品?用於?振?路???（吸收）?路。
今後，村田???推?多?片式陶瓷?容器的小型化、?容值?充以及?定??的提高，?充?品?容以?足市?需求，?而?助?子?置的小型化、高效能化?多功能化。同?，村田?透?在MLCC?造?程中更有效地利用天然?源、?少??物?推?循?利用等措施，以降低?境?荷。

主要特?

• 在1210?（3.2×2.5mm）尺寸、?定??1.25kV且具?C0G特性的前提下，??了特大15nF?容量的多?片式陶瓷?容器。
• 1.25kV高耐?，?配SiC MOSFET。
• C0G特性??低?耗??定的?容值。

主要?格

?品?站

有?包含本?品在?的4.7～15nF全?品?容的????，???此?。

查?

有?本?品的查?，???此?。

?於村田?作所

村田?作所是一家全球性的?合?子元器件?造商，主要?事以陶瓷?基?的?子元器件的??、生?和?售??。公司致力於透?自身??累?的材料??、?程??、商品??、生?技?以及?它?提供支援的??和分析?估等技?基?，?造?特?品，??子社?的?展??力量。

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【株式?社村田?作所】1210?、1.25kV、C0G特性的15nF MLCC