第8 代BiCS FLASH技术实现强大的性能和效率提升

东京--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation（铠侠）是全球领先的内存解决方案提供商，今天宣布该公司采用每单元4位的四层单元（QLC）技术的新款通用闪存¹（UFS）版本4.1嵌入式内存器件开始送样。新款器件专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计，采用Kioxia的第8 代BiCS FLASH^TM 3D闪存技术。

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QLC UFS相比传统TLC UFS具有更高的位密度，非常适合需要大存储容量的移动应用。得益于控制器技术和纠错技术的进步，让QLC技术能够在实现这一目标的同时，保持有竞争力的性能。

在这些技术进步的基础上，Kioxia的新款器件实现了显著的性能提升²。与上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS将顺序写入速度提升了25%，将随机读取速度提升了90%，并将随机写入速度提升了95%³。写放大系数（WAF）也提升了最高3.5倍（在禁用WriteBooster的情况下）。

Kioxia QLC UFS不仅非常适合智能手机和平板电脑，此外同样支持需要更高容量和性能的新型产品，包括个人电脑（PC）、网络、增强现实/虚拟现实（AR/VR）、物联网（IoT）以及启用人工智能（AI）的设备。

新款UFS 4.1器件提供512 GB和1 TB两种容量，将Kioxia先进的BiCS FLASH™ 3D闪存与集成的控制器组合在JEDEC标准封装中。Kioxia的第8代BiCS FLASH™ 3D闪存推出了CMOS直接键合阵列（CBA）技术，这一架构创新标志着闪存设计领域的一次飞跃式改变。

主要特点包括：

• 符合UFS 4.1规范。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。
• 第8代Kioxia BiCS FLASH™ 3D闪存
• 支持WriteBooster，显著提升写入速度
• 封装尺寸比上一代QLC UFS更小：从11×13 mm缩小至9×13 mm

相关链接：
Kioxia的UFS 4.1产品页面

- 凡提及某个Kioxia产品之处：产品密度是指该产品内部的内存芯片密度，而非最终用户可用于数据存储的内存容量大小。由于开销数据区域、格式化、坏扇区和其他限制的原因，用户可用容量将会低于该值。要了解详情，请参阅相关产品规格。定义：1KB = 2^10字节 = 1,024字节；1Gb = 2^30位 = 1,073,741,824位；1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节。1Tb = 2^40位 = 1,099,511,627,776位。

- 1 Gbps = 1,000,000,000位/秒。读写速度是Kioxia在特定测试环境中取得的最佳值，Kioxia不保证具体器件设备上的读取或写入速度。读写速度可能因所用设备以及读取或写入的文件大小而异。

- 公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia
Kioxia（铠侠）是全球领先的内存解决方案提供商，专注于闪存和固态硬盘（SSD）的开发、生产及销售。1987年，东芝株式会社发明了NAND闪存技术；2017年4月，公司的前身东芝存储器从东芝株式会社分立。Kioxia致力于通过提供可为客户创造丰富选择并为社会创造记忆价值的产品、服务和系统，用“内存”提升世界。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造高强度应用所需存储的未来，包括先进智能手机、个人电脑、车载系统、数据中心和生成式人工智能系统等。

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